Корпорация Intel объявила о разработке первой полнофункциональной микросхемы памяти стандарта SRAM (Static Random Access Memory) на базе 65-нанометровой технологии. Продемонстрированный чип имеет емкость 70 Мбит и содержит 500 миллионов транзисторов. Таким образом, процессорный гигант в очередной раз подтвердил справедливость закона Мура, согласно которому количество транзисторов на микросхемах, а следовательно, и их производительность удваиваются каждые полтора-два года.
В пресс-релизе отмечается, что новые микросхемы SRAM имеют площадь кристалла 110 мм2, каждая ячейка памяти при этом содержит шесть транзисторов с размером затвора 35 мм (это примерно на 30 процентов меньше размеров затворов транзисторов, изготавливающихся по 90-нанометровой технологии).
Однако уменьшение размеров транзисторов, хотя и приводит к росту производительности микрочипов, неизбежно порождает проблемы увеличения энергопотребления и, соответственно, тепловыделения. Специалистам Intel удалось преодолеть эти недостатки путем применения улучшенной технологии "напряженного кремния" (кремния с увеличенным расстоянием между узлами кристаллической решетки), за счет которой быстродействие транзисторов было повышено на 10-15 процентов без возрастания токов утечки.
Кроме того, новые микросхемы SRAM имеют так называемые "сонные транзисторы" (Sleep Transistors), отключающие неиспользуемые блоки памяти и снижающие, тем самым, энергопотребление. В новой производственной технологии также применяется диэлектрический материал с низким коэффициентом проводимости (диэлектрик low-k), повышающий скорость передачи сигналов в микросхеме. Чипы были изготовлены на заводе D1D в Хиллсборо (штат Орегон, США).
